[发明专利]单结晶体管触发电路

摘要

本发明公开了单结晶体管触发电路，包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电位器RP1、二极管VD1、二极管VD2、二极管V1、二极管V2、二极管V3、二极管VD4、三极管V4、三极管V5、晶体管V6、电容C1、变压器T，所述二极管VD1的阳极为信号输入端，所述二极管VD1的阴极与电阻R1连接，所述电阻R1的另一端与电阻R8一端连接，电阻R8连接电阻R1端的另一端与晶体管V6的集电极连接，所述二极管V1的阴极连接在电阻R1与电阻R8连接的线路上，二极管V1的阳极连接二极管V1的阴极，所述二极管V2的阳极接地；本发明通过半波整流、削波得到梯形波电压从而实现了提高背景亮度触发电路稳定性，提高抗过流过压的能力的目的。

主权项

单结晶体管触发电路，其特征在于，包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电位器RP1、二极管VD1、二极管VD2、二极管V1、二极管V2、二极管V3、二极管VD4、三极管V4、三极管V5、晶体管V6、电容C1、变压器T，所述二极管VD1的阳极为信号输入端，所述二极管VD1的阴极与电阻R1连接，所述电阻R1的另一端与电阻R8一端连接，电阻R8连接电阻R1端的另一端与晶体管V6的集电极连接，所述二极管V1的阴极连接在电阻R1与电阻R8连接的线路上，二极管V1的阳极连接二极管V1的阴极，所述二极管V2的阳极接地；电阻R2一端连接在二极管V1与电阻R8连接的线路上，其另一端连接二极管V3的阴极，所述二极管V3的阳极接地；所述电阻R3一端连接在电阻R2与二极管V1连接的线路上，其另一端连接电位器RP1的一个固定端，电位器RP1的另一个固定端连接电阻R4，电阻R4的另一端接地；电阻R5一端连接在电阻R2连接电阻R8的线路上，其另一端连接三极管V4的集电极和三极管V5的基极；所述三极管V4的基极连接电位器RP1的活动端；三极管V4的发射器与电阻R6连接，所述电阻R6的另一端接地；所述电阻R7一端连接电阻R5与电阻R8连接的线路上，其另一端连接三极管V5的发射器，三极管V5的集电极连接晶体管V6的基极；电容C1一端连接在三极管V5与晶体管V6连接的线路上，其另一端接地；所述二极管VD2的阳极接地，阴极连接晶体管V6的发射极；所述变压器T的初级线圈连接在二极管VD2两端，次级线圈并联二极管VD4。