[发明专利]一种基于0.13um SiGeBiCMOS工艺的宽带单平衡三倍频器有效
| 申请号： | 201710947768.3 | 申请日： | 2017-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN107733370B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 黄涛;邵振海 | 申请（专利权）人： | 机比特电子设备南京有限公司 |
| 主分类号： | H03B19/14 | 分类号： | H03B19/14 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 李蕊;李林合 |
| 地址： | 210000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于0.13um SiGeBiCMOS工艺的宽带单平衡三倍频器，包括三倍频核器和输出高通放大级电路；三倍频核器包括输入巴伦和输出巴伦、BJT1和BJT2以及两个直流偏置电路；两个直流偏置电路包括Vce1直流偏置电路和Vbe1直流偏置电路；Vce1直流偏置电路和Vbe1直流偏置电路分别与BJT1和BJT2的基极电连接；BJT1和BJT2的基极与输入巴伦的输出端连接；所述Vce1直流偏置电路与输出巴伦的输入端相连；输出高通放大级电路包括BJT3；BJT3的基极分别与输出巴伦和Vbe2直流偏置电路电连接；BJT3的集电极与Vce2直流偏置电路电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 0.13 um sigebicmos 工艺 宽带 平衡 倍频器 | ||
【主权项】：
一种基于0.13um SiGeBiCMOS工艺的宽带单平衡三倍频器，其特征在于：包括三倍频核器和输出高通放大级电路；所述三倍频核器包括输入巴伦和输出巴伦、BJT1和BJT2以及两个直流偏置电路；两个直流偏置电路包括Vce1直流偏置电路和Vbe1直流偏置电路；所述Vce1直流偏置电路和Vbe1直流偏置电路分别与BJT1和BJT2的基极电连接；所述BJT1和BJT2的基极与输入巴伦的输出端连接；所述Vce1直流偏置电路与输出巴伦的输入端相连；所述输出高通放大级电路包括BJT3；所述BJT3的基极分别与输出巴伦和Vbe2直流偏置电路电连接；所述BJT3的集电极与Vce2直流偏置电路电连接。
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