[发明专利]一种等离子体材料设计方法有效
| 申请号： | 201710942515.7 | 申请日： | 2017-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN107644140B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 许勇刚;梁子长;陈方园;何鸿飞;郭良帅 | 申请（专利权）人： | 上海无线电设备研究所 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F30/27 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 朱成之 |
| 地址： | 200090 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种等离子体材料设计方法，采用日光灯管作为等离子体发生器，模拟圆柱体等离子体材料，获取圆柱体等离子体材料的电磁参数，采用圆柱体等离子体材料来构造单层等离子体材料层，根据圆柱体等离子体材料的传输反射特性计算等效介电常数，继而获取单层等离子体材料层等效结构的复数磁导率和复数介电常数，采用遗传算法对不同电子密度的单层等离子体材料层进行优化设计，获得最终的宽带高吸收率等离子体多层分布结构。本发明提高了等离子体材料对电磁波的吸收并降低反射，能够降低目标的电磁散射以及背景与目标之间电磁耦合，降低背景对目标测试的影响，制备成本低，应用效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 材料 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体材料设计方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤S1、采用日光灯管作为等离子体发生器，模拟圆柱体等离子体材料，获取圆柱体等离子体材料的电磁参数；步骤S2、采用圆柱体等离子体材料来构造单层等离子体材料层，根据圆柱体等离子体材料的传输反射特性计算等效介电常数，继而获取单层等离子体材料层等效结构的复数磁导率和复数介电常数；步骤S3、采用遗传算法对不同电子密度的单层等离子体材料层进行优化设计，获得最终的宽带高吸收率等离子体多层分布结构。
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