[发明专利]降低钽电容器被膜工序ESR的工艺方法在审
| 申请号： | 201710883722.X | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107705991A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 蔡大俊;邓俊涛;钟山;周柱琴;张承 | 申请（专利权）人： | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司 |
| 主分类号： | H01G9/00 | 分类号： | H01G9/00 |
| 代理公司： | 贵阳派腾阳光知识产权代理事务所(普通合伙)52110 | 代理人： | 田江飞 |
| 地址： | 550018 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明属于电容器制造技术领域，尤其是降低钽电容器被膜工序ESR的工艺方法，通过浸渍、脱水、分解、补形成、再浸渍、再脱水、再分解和后续处理等步骤完成对钽芯子的处理，通过对工艺参数的调控，促进分解过程的进行，有效的改善了钽电容器的有效串联电阻；并且再分解过程中，通过控制含氧量，有效的防止了溶液飞溅造成钽丝脏的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 钽电容 器被膜 工序 esr 工艺 方法 | ||
【主权项】：
降低钽电容器被膜工序ESR的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)浸渍：将钽芯子浸渍在硝酸锰溶液A中，浸渍时间为8～12min，浸渍温度为(55±5)℃；(2)脱水：在温度为(125±20℃)的烘箱内脱水；(3)分解：在温度为270±20℃，含氧量为(7±3)％的被膜炉内进行分解；(4)补形成：在2U额的条件下处理5～10min：(5)再浸渍：在硝酸锰溶液B中，浸渍时间为8～12min，浸渍温度为(55±5)℃；(6)再脱水：在温度为(125±20℃)的烘箱内脱水；(7)再分解：在温度为(85±20)℃，氧含量为(12±3)％的被膜炉内进行分解；(8)后续处理：将步骤(7)所得钽芯子进行石墨银浆处理即可。
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