[发明专利]一种基于反射层的硅基光学天线及制备方法有效
| 申请号： | 201710867297.5 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN109541744B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 王鹏飞;徐洋;李召松;李稚博;张冶金;于红艳;潘教青;王庆飞;田林岩 | 申请（专利权）人： | 北京万集科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/136;G01S7/481 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;李相雨 |
| 地址： | 100085 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种基于反射层的硅基光学天线及制备方法。硅基光学天线包括SOI衬底，所述SOI衬底至少包括衬底硅层、埋氧化层和顶部硅层，其中所述埋氧化层位于所述衬底硅层和所述顶部硅层中间，将所述SOI衬底的顶部硅层通过刻蚀形成波导阵列，并刻有光栅，在所述SOI衬底的衬底硅层与所述埋氧化层相接位置形成金属反射层。本发明实施例通过在所述光学天线的衬底硅层与埋氧化层之间形成金属反射层，从而提高了所述光学天线的辐射效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 反射层 光学 天线 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于反射层的硅基光学天线，其特征在于，所述光学天线包括：SOI衬底，所述SOI衬底至少包括衬底硅层、埋氧化层和顶部硅层，其中所述埋氧化层位于所述衬底硅层和所述顶部硅层中间，将所述SOI衬底的顶部硅层通过刻蚀形成波导阵列，并刻有光栅，在所述SOI衬底的衬底硅层与所述埋氧化层相接位置形成金属反射层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京万集科技股份有限公司，未经北京万集科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710867297.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
