[发明专利]砷化镓激光器腔面及钝化方法、砷化镓激光器及制备方法

摘要

本发明提供一种砷化镓激光器腔面及钝化方法、砷化镓激光器及制备方法，属于半导体激光器领域；砷化镓激光器的腔面钝化方法包括在高真空条件下，以10‑30sccm的流量给离子源通入氩气形成等离子体Ar+，等离子体Ar+经过电场加速后轰击砷化镓激光器的腔面5‑20min，以10‑30sccm的流量给离子源通入氮气和氢气的混合气体形成混合等离子体NH+，混合等离子体NH+经电场加速后与砷化镓激光器腔面的表层发生化学反应，5‑10min后形成阻挡层；在阻挡层上镀一层厚度为5‑15nm的钝化膜，采用镀膜工艺在钝化膜上镀制反射膜。本发明可大幅度提升砷化镓激光器的可靠性，保证砷化镓激光器在高功率条件下的工作稳定性，并延长砷化镓激光器的寿命。

主权项

一种砷化镓激光器的腔面钝化方法，其特征在于，所述腔面钝化方法包括：在高真空条件下，以10‑30sccm的流量给离子源通入氩气，氩气在离子源的作用下形成等离子体Ar+，等离子体Ar+经过电场加速后，轰击砷化镓激光器的腔面5‑20min，以初步去除砷化镓激光器腔面的污染物和氧化层；轰击完成后，以10‑30sccm的流量给离子源通入氮气和氢气的混合气体，氮气和氢气的混合气体在离子源的作用下形成混合等离子体NH+，混合等离子体NH+经电场加速后，与砷化镓激光器腔面的表层发生化学反应，5‑10min后形成阻挡层，以彻底去除砷化镓激光器腔面的氧化层；在阻挡层上镀一层厚度为5‑15nm的钝化膜，并采用镀膜工艺在钝化膜上镀制反射膜。