[发明专利]一种宽带隙晶体材料表面微纳结构的制备方法有效

专利信息
申请号: 201710844768.0 申请日: 2017-09-15
公开(公告)号: CN107627025B 公开(公告)日: 2020-06-26
发明(设计)人: 吴强;栗亚南;李强;张春玲;姚江宏;齐继伟;陈战东;杨明;许京军 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: B23K26/352 分类号: B23K26/352;B23K26/60;B23K26/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300071 天津市南*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种宽带隙晶体材料表面微纳结构的制备方法。将选取的宽带隙晶体材料清洗干净后置于加工腔内,加工腔内可以是真空(真空度为10‑2‑10‑5Pa)也可以通入一定气压(<1bar)的气体,气体可以为六氟化硫、氯气等刻蚀性气体,也可以为氮气、氦气、氩气甚至空气等非刻蚀性气体。然后对样品进行加热(温度范围20~1500℃),并利用超短脉冲激光(波长可以为紫外至近红外,脉宽可以为5fs‑5000fs,超短脉冲激光的通量范围为1kJ/m2‑100kJ/m2)辐照样品表面制备微纳结构。本发明解决了常温下宽带隙晶体材料在受到超短脉冲激光辐照时引起的库仑爆炸问题,实现了宽带隙材料表面微纳结构的制备,而且能够通过控制入射激光能量和辐照时间的方法,控制微纳结构的大小。
搜索关键词: 一种 宽带 晶体 材料 表面 结构 制备 方法
【主权项】:
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