[发明专利]辐射射线检测装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201710844083.6 | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN107731652B | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 薛宁;祁至美;孙建海;刘春秀 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | H01J47/08 | 分类号： | H01J47/08;H01J47/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 辐射射线检测装置及其制备方法，其中辐射射线检测装置包括：高导电硅基底，其包括：周期排列的至少一个基底单元，每一基底单元包括：内层基底、包围内层基底的外层基底及由内层基底和外层基底围成的空腔；第一绝缘层，置于高导电硅基底上表面，其结构与高导电硅基底相对应；第二绝缘层，置于高导电硅基底下表面，其具有至少一个正对内层基底的凹槽，该凹槽内形成有金属电极，以作为至少一个正极；具有至少一个正对外层基底的凹槽，该凹槽内形成有金属电极，以作为至少一个负极；玻璃体，置于第一绝缘层的上表面，与正极键合。正极的接触面积远小于负极接触面积，且外层基底包围内层基底结构可进一步增大空腔面积，以明显提高辐射粒子的检测效率。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 射线 检测 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种辐射射线检测装置，包括：高导电硅基底，其包括：周期排列的至少一个基底单元，每一基底单元包括：内层基底、包围所述内层基底的外层基底及由所述内层基底和外层基底围成的空腔，至少一个所述空腔中注入有媒介物；第一绝缘层，置于所述高导电硅基底上表面，其结构与所述高导电硅基底相对应；第二绝缘层，置于所述高导电硅基底下表面，其具有至少一个正对所述内层基底的凹槽，该凹槽内形成有金属电极，以作为至少一个正极；还具有至少一个正对所述外层基底的凹槽，该凹槽内形成有金属电极，以作为至少一个负极；玻璃体，置于所述第一绝缘层的上表面，与所述正极键合。
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