[发明专利]一种基于亚阈值技术的变压器耦合压控振荡器在审
申请号: | 201710841107.2 | 申请日: | 2017-09-18 |
公开(公告)号: | CN107592076A | 公开(公告)日: | 2018-01-16 |
发明(设计)人: | 黄生林 | 申请(专利权)人: | 黄生林 |
主分类号: | H03B5/04 | 分类号: | H03B5/04;H03B5/12 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于亚阈值技术的变压器耦合压控振荡器,包括相互连接的核心振荡电路和输出缓冲级电路,所述核心振荡电路包括电感电容谐振回路和负阻产生回路,电感电容谐振回路上主线圈差分电感L1与次级线圈电感L2通过变压器结构进行磁耦合,负阻产生回路由交叉耦合结构的NMOS管M1和NMOS管M2组成,负阻产生回路中的NMOS管M1与电感电容谐振回路中主线圈电感L1和固定电容C1并接点相连。本发明通过上述电路,采取把主回路中的差分电感与副回路中的单圈电感通过变压器结构进行耦合和去除尾电流的方法,降低相位噪声和偏置电压,实现了超低电压供电,超低功耗的设计。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 阈值 技术 变压器 耦合 压控振荡器 | ||
【主权项】:
一种基于亚阈值技术的变压器耦合压控振荡器,其特征在于,包括相互连接的核心振荡电路和输出缓冲级电路,所述核心振荡电路包括电感电容谐振回路和负阻产生回路,电感电容谐振回路上主线圈差分电感L1与次级线圈电感L2通过变压器结构进行磁耦合,负阻产生回路由交叉耦合结构的NMOS管M1和NMOS管M2组成,负阻产生回路中的NMOS管M1的漏极与电感电容谐振回路中主线圈电感L1和固定电容C1并接点相连,NMOS管M2的漏极与电感电容谐振回路中主线圈电感L1与固定电容C3的并接点相连。
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