[发明专利]一种氘‑氘中子发生器靶室在审

专利信息
申请号: 201710809740.3 申请日: 2017-09-11
公开(公告)号: CN107708284A 公开(公告)日: 2018-02-16
发明(设计)人: 柯建林;胡永宏;刘玉国;唐君;刘猛;刘百力;伍春雷 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
主分类号: H05H6/00 分类号: H05H6/00
代理公司: 中国工程物理研究院专利中心51210 代理人: 翟长明,韩志英
地址: 621999 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供了一种氘‑氘中子发生器靶室,所述的靶室中的等离子体电极采用法兰与真空腔室相连,真空腔室一侧有分子泵接口法兰以进行靶室的真空抽取,绝缘座与真空腔室相连,钛自成靶与绝缘座相连;去离子水通过进水管接入绝缘座并直接喷射至钛自成靶背面,对钛自成靶进行冷却,然后经出水管流出;引出电极座与绝缘座相连,并通过靶电阻与钛自成靶进行电连接,引出电极头与引出电极座之间采用螺纹连接;负高压电缆通过连接杆与引出电极座连接。
搜索关键词: 一种 中子 发生器
【主权项】:
一种氘‑氘中子发生器靶室,其特征在于:所述的靶室包括等离子体电极(1)、引出电极头(2)、引出电极座(3)、屏蔽电极(5)、钛自成靶(14)、绝缘座(6)和真空腔室(4);等离子体电极(1)采用法兰与真空腔室(4)相连,真空腔室(4)一侧有分子泵接口法兰(11)以进行靶室的真空抽取,绝缘座(6)与真空腔室(4)相连,钛自成靶(14)与绝缘座(6)相连;去离子水(9)通过进水管(8)接入绝缘座(6)并直接喷射至钛自成靶(14)背面,在钛自成靶(14)背面形成一层水膜,对钛自成靶(14)进行冷却,然后经出水管(7)流出;引出电极座(3)与绝缘座(6)相连,并通过靶电阻(13)与钛自成靶(14)进行电连接,引出电极头(2)与引出电极座(3)之间采用螺纹连接,以调节等离子体电极(1)与引出电极头(2)之间的距离;负高压电缆(10)通过连接杆(12)与引出电极座(3)连接,用于馈入负高压。
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