[发明专利]太赫兹量子级联激光装置有效
申请号: | 201710777263.7 | 申请日: | 2017-09-01 |
公开(公告)号: | CN107800040B | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 角野努;斋藤真司;山根统 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01S5/12 | 分类号: | H01S5/12 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 庞乃媛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供能够作为两个红外线的差频而发出太赫兹波的量子级联激光装置。太赫兹量子级联激光装置具有基板、半导体层叠体以及第一电极。半导体层叠体具有能够通过次能带间光学跃迁而发出红外线激光且设置在基板上的活性层、以及设置在活性层之上的第一包层,半导体层叠体设置有脊形波导路。在第一包层的上表面设置有沿着脊形波导路的延伸方向分离地设置的第一分布反馈区域以及第二分布反馈区域。第一电极设置在第一包层的上表面。第一分布反馈区域的平面尺寸小于第二分布反馈区域的平面尺寸。 | ||
搜索关键词: | 赫兹 量子 级联 激光 装置 | ||
【主权项】:
一种太赫兹量子级联激光装置,具备:基板;半导体层叠体,具有:活性层,能够通过次能带间光学跃迁而发出红外线激光,且设置在所述基板上;以及设置在所述活性层之上的第一包层,该半导体层叠体设置有脊形波导路,在所述第一包层的上表面设置有沿着所述脊形波导路的延伸方向分离设置的第一分布反馈区域以及第二分布反馈区域;以及第一电极,设置在所述第一包层的上表面;所述第一分布反馈区域的平面尺寸小于所述第二分布反馈区域的平面尺寸。
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