[发明专利]基于抗磁约束的无界面接触溶液单晶自由生长方法有效
| 申请号： | 201710776715.X | 申请日： | 2017-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN107574480B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 尹大川;吴子庆;刘永明;陈婧婕;刘雅丽 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C30B30/04 | 分类号： | C30B30/04;C30B7/00 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 顾潮琪 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于抗磁约束的无界面接触溶液单晶自由生长方法，混合顺磁介质溶液和样品分子，得到过饱和结晶溶液体系；将结晶溶液体系置于磁悬浮装置中进行晶体生长；观察晶体的生长状况，若得到无界面接触悬浮生长的单晶体，则终止实验；若所得晶体在液面上则降低顺磁介质浓度，若所得晶体在溶液底部，则增加顺磁介质浓度；若没有晶体长出则增加结晶溶液各组分浓度，若晶体为多晶，则降低结晶溶液各组分浓度。本发明实现了均相成核，得到了优质单晶体，且价格低廉，准备简单，使用范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 约束 界面 接触 溶液 自由 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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