[发明专利]一种改善希捷硬盘的磁头读写速度的方法有效
| 申请号： | 201710754457.5 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN107507631B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 梁效宁;李航;董超 | 申请（专利权）人： | 四川巧夺天工信息安全智能设备有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/02 | 分类号： | G11B5/02;G11B5/55 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 641000 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善希捷硬盘的磁头读写速度的方法，其特征在于包括以下步骤:S100:获取所述硬盘的ROM文件；S200:确定所述ROM文件中读适配参数RAP的地址范围；S300:获取间隙参数Clearance的值；S400:在所述读适配参数RAP的地址范围内查找并重写所述间隙参数Clearance的值；S500:校验所述ROM文件并将所述ROM文件回写至所述硬盘。本发明解决了因直接拆卸、更换磁头等方法造成人力物力的耗费、以及人为因素导致硬盘故障的扩大化而对硬盘带来二次伤害、甚至造成硬盘完全损坏的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 希捷 硬盘 磁头 读写 速度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善希捷硬盘的磁头读写速度的方法，其特征在于包括以下步骤:S100:获取所述硬盘的ROM文件；S200:确定所述ROM文件中读适配参数RAP的地址范围，所述S200包含以下步骤:S201:在所述ROM文件的起始地址0x00000000至地址0x0000009F范围内，查找所述读适配参数RAP的标识0x06；S202:读取所述标识0x06后连续三字节的内容，作为所述读适配参数RAP的起始地址，所述起始地址以小端格式存储；S203:所述标识0x06向后跳转五字节，以跳转五字节后的当前地址为起始地址，读取连续三字节的内容作为所述读适配参数RAP的结束地址，所述结束地址以小端格式存储；S300:获取间隙参数Clearance的值；S400:在所述读适配参数RAP的地址范围内查找并重写所述间隙参数Clearance的值，所述步骤S400包含以下步骤:S401:在所述读适配参数RAP的地址范围内查找W+HtClr、RHtClr、PrhtClr、TargWrClr及TargPreClr的值；S402:将W+HtClr、RHtClr、PrhtClr、TargWrClr及TargPreClr的值各自增加相同的值；S403:判断是否完成所有W+HtClr、RHtClr、PrhtClr、TargWrClr及TargPreClr的重写，如果是，执行步骤S500,否则执行步骤S402；S500:校验所述ROM文件并将所述ROM文件回写至所述硬盘。
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