[发明专利]一种宽电压范围低功耗自偏置启动电路在审
申请号: | 201710749060.7 | 申请日: | 2017-08-30 |
公开(公告)号: | CN109426295A | 公开(公告)日: | 2019-03-05 |
发明(设计)人: | 顾伯华;孔维新;张永生;胡永华;王彬;李建军 | 申请(专利权)人: | 江苏稻源微电子有限公司 |
主分类号: | G05F1/565 | 分类号: | G05F1/565 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 211400 江苏省扬州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开一种宽电压范围低功耗自偏置启动电路,其采用工作在截止状态的PMOS管的漏电流产生启动电路的参考电流,可包括第三PMOS管、第四PMOS管和第五PMOS管,所述第四PMOS管的栅极与源极相连并接地,第四PMOS管的漏极与第五PMOS管的栅极、第三PMOS管的漏极相连;第五PMOS管的源极、第三PMOS管的源极接电源,利用工作在截止状态的第四PMOS管的漏电流产生启动电路的参考电流。本发明解决了启动电路工作电压范围有限的问题,同时实现低功耗并且避免使用大电阻。 | ||
搜索关键词: | 启动电路 低功耗 源极 漏电 参考电流 截止状态 宽电压 自偏置 漏极 流产 工作电压 大电阻 接地 电源 | ||
【主权项】:
1.一种宽电压范围低功耗自偏置启动电路,其特征在于,宽电压范围低功耗自偏置启动电路采用工作在截止状态的PMOS管的漏电流产生启动电路的参考电流。
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