[发明专利]一种基于多电源合成的真空灭弧室老炼装置有效

专利信息
申请号: 201710737634.9 申请日: 2017-08-24
公开(公告)号: CN107564752B 公开(公告)日: 2019-07-23
发明(设计)人: 翟小社 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H01H11/00 分类号: H01H11/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 陆万寿
地址: 710049 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种基于多电源合成的真空灭弧室老炼装置,低压直流源的电压输出端与IGBT芯片的集电极相连接,高压脉冲源的接地端及高压直流源的接地端均与真空灭弧室的一端相连接,真空灭弧室的另一端与高压直流源的高压端、高压脉冲源的高压端及IGBT芯片的发射极相连接,电流检测单元的输出端及电压检测单元的输出端均与信号检测及IGBT触发控制单元的输入端相连接,信号检测及IGBT触发控制单元的输出端与IGBT芯片的门极相连接,该装置能够实现对真空灭弧室的击穿及老炼,并且击穿过程中对电源的要求较低,老炼较为充分。
搜索关键词: 一种 基于 电源 合成 真空 灭弧室老炼 装置
【主权项】:
1.一种基于多电源合成的真空灭弧室老炼装置,其特征在于,包括低压直流源(3)、IGBT芯片(10)、高压脉冲源(2)、高压直流源(1)、信号检测及IGBT触发控制单元(9)、用于检测真空灭弧室(6)上电流的电流检测单元(7)以及用于检测真空灭弧室(6)上的电压的电压检测单元(8);低压直流源(3)的电压输出端与IGBT芯片(10)的集电极相连接,高压脉冲源(2)的接地端及高压直流源(1)的接地端均与真空灭弧室(6)的一端相连接,真空灭弧室(6)的另一端均与高压直流源(1)的高压端、高压脉冲源(2)的高压端相连接,电流检测单元(7)的输出端及电压检测单元(8)的输出端均与信号检测及IGBT触发控制单元(9)的输入端相连接,信号检测及IGBT触发控制单元(9)的输出端与IGBT芯片(10)的门极相连接;IGBT芯片(10)的发射极依次经高压快速导通二极管(11)及第一隔离电感(13)与真空灭弧室(6)的另一端相连接;高压直流源(1)输出的高电压Uz与高压脉冲源(2)输出的脉冲电压Up相叠加后作用于真空灭弧室(6)的两端,使真空灭弧室(6)产生脉冲击穿,然后信号检测及IGBT触发控制单元(9)控制IGBT芯片(10)导通,通过低压直流源(3)向真空灭弧室(6)注入大电流对真空灭弧室(6)进行老炼。
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