[发明专利]一种富硅块茎植物的种植方法

摘要

本发明提供了一种富硅块茎植物的种植方法，使用了无土栽培的方式，在营养液中加入块茎植物易于吸收的硅酸盐，并且准确控制营养液的硅的含量及其与其他各组分的配比，恰如其分地为块茎植物提供营养。本发明使用种植块茎植物专用的装置，显著改善了无土栽培经常性发生的浇水造成基质漂浮飞溅的问题以及植物根部供氧不足的问题。本发明丰富了块茎植物的种植方法，获得无污染、无公害、绿色安全的富硅块茎植物产品，为人们日常生活提供补充硅的食物来源。本发明涉及的一种富贵块茎植物种植方法适用于包括马铃薯、山药、芋头等块茎植物。

主权项

一种富硅块茎植物种植方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)选苗炼苗：筛选5‑10cm的块茎植物脱毒苗在温度20‑22℃、光照强度为2500‑30000x的温室条件下放置3‑5天；(2)生根处理：将炼苗后的脱毒苗除去原有根系，用清水洗2‑3次，将根部浸泡在pH为5.8，浓度为100mg/L的萘乙酸溶液中10‑20分钟；(3)定植前准备：富硅块茎植物种植营养液的配置和块茎植物种植专用装置的使用准备；(4)覆膜定植：将生根处理后的苗种植到装置的基质中，株距35‑40cm，株深10‑15cm，定植后用基质铺实，在装置表面附上塑料薄膜；(5)种植管理：定植第一天，从装置入水口注入清水，至基质完全湿润但基质不可浮起；之后的每3‑5天从装置入水口注入营养液，营养液在装置内停留2‑3小时，营养液可重复使用，每使用5次更换1次新营养液；通气装置每隔3‑5天在营养液停留期间向营养液中通入氧气，每次0.5‑1小时。