[发明专利]一种MoS2

摘要

一种MoS2/聚电解质杂化纳滤膜及其制备方法，属于膜分离技术领域。包括以下步骤：制备PDDA表面修饰的纳米MoS2；配置阴离子聚电解质溶液和含PDDA表面修饰的纳米MoS2阳离子聚电解质溶液；通过阴离子聚电解质和含PDDA表面修饰的纳米MoS2阳离子聚电解质之间的静电作用层层自组装技术，得到MoS2/聚电解质杂化纳滤膜。MoS2是一种类石墨烯的二维层状材料，具有独特的片层状结构。制备MoS2过程中，加入聚二甲基二烯丙基氯化铵(PDDA)使其表面荷正电，并提高分散稳定性，在自组装过程中能均匀分散在膜中，得到一种MoS2分散性能较优的杂化纳滤膜，对染料水溶液显示优异的分离去除率和通量。

主权项

一种MoS2/聚电解质杂化纳滤膜的制备方法，其特征在于，包括以下具体步骤：(1)PDDA表面修饰的纳米MoS2的制备方法：将钼源、硫源加入到去离子水中混合，搅拌至完全溶解，缓慢滴入聚电解质聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDDA)的溶液中，搅拌12‑36h，置于反应釜中，在150‑280℃下水热反应15‑36h，自然冷却后用去离子水和无水乙醇离心洗涤，在40‑110℃干燥12‑24h后研磨，即得PDDA修饰的MoS2二维层状粒子；(2)聚电解质溶液的配制：将阳离子聚电解质溶解于去离子水中配制成1.0‑10.0g/L的聚电解质溶液，另将浓度为0.1‑1.0g/L步骤(1)制备的PDDA表面修饰的纳米MoS2加入到聚阳离子聚电解质溶液中，超声0.25‑4h；另外，配制1.0‑10.0g/L浓度的阴离子聚电解质溶液备用；(3)MoS2/聚电解质杂化膜的制备：将预处理后荷负电性的聚丙烯腈基膜，浸渍于步骤(2)配制的含有PDDA表面修饰的纳米MoS2的阳离子聚电解质溶液中，10‑40min后将基膜取出，用去离子水冲洗干净；然后再将该膜浸渍于步骤(2)配制的阴离子聚电解质溶液中，10‑40min后取出，用去离子水冲洗干净，重复上述操作2‑8次，复合膜在30‑50℃干燥1‑6h，得到MoS2/聚电解质杂化纳滤膜。