[发明专利]一种富硒哈密瓜种植方法在审

专利信息
申请号: 201710699752.5 申请日: 2017-08-16
公开(公告)号: CN107567978A 公开(公告)日: 2018-01-12
发明(设计)人: 崔金瑞;李守敏;刘万祥 申请(专利权)人: 山东茂瑞农业发展有限公司
主分类号: A01G22/05 分类号: A01G22/05;A01C21/00;C05G1/00
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 代理人: 汤东凤
地址: 274900 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种富硒哈密瓜种植方法,选择闲置地或者摞荒地为好,再或者种植作物在五年以上的地,然后通过翻地机进行翻地,翻地时,通过加入底肥,并且加入酸碱溶液对土壤进行调和,使得土壤的pH值为7‑8之间,然后在翻好的土地上进行开沟,播种前选择发芽率在95%‑99%之间的种子在200倍福尔马林浸种2小时,在整地的时候加入了发酵腐熟生物肥和富硒有机肥,以此可以确保哈密瓜幼苗长势更好,而在后期施肥时,是通过注射器注射的方式来施肥的,以此可以确保肥料完全被植物吸收,该富硒哈密瓜种植方法步骤简单,使得肥料更好的被植物吸收,使得长出的果实更好,并且种植出的哈密瓜富含硒元素。
搜索关键词: 一种 哈密瓜 种植 方法
【主权项】:
一种富硒哈密瓜种植方法,其特征在于,包括如下步骤:1)选地、整地:在选地时,选择闲置地或者摞荒地为好,再或者种植作物在五年以上的地,然后通过翻地机进行翻地,在翻地时,施加发酵腐熟生物肥2000~4000 公斤/亩,开春整地打垄时施用富硒有机肥100~200公斤/亩,耕后浇水保墒,并且加入酸碱溶液对土壤进行调和,使得土壤的pH值为7‑8之间,然后在翻好的土地上进行开沟;2)选种:播种前选择发芽率在95%‑99%之间的种子进行浸种处理,再将杀虫剂和浸种好的种子进行搅拌;3)播种:在开好的沟边缘处在开出小沟,然后再将小沟内注满水,等水浸入到地下之后再将处理好的种子均匀的丢入到小沟内,再用土对种子进行封盖;4)覆盖地膜:播种后,将塑料薄膜覆盖到小沟的上表面,塑料薄膜的两端和两侧通过泥土进行压固,在播种2‑3天后,再将塑料薄膜的上表面开出小洞,以此可以防止幼苗烧死;5)浇水:在播种后,通过水泵向大沟内抽水,以此向大沟内注满水,确保大沟的边缘被水浸湿;6)定苗管理:选择优良的幼苗进行保留,而将生长不好的幼苗拔出,有缺苗的地方可以进行移植,或者通过点种的方式重新进行播种;7)安装固定架:通过再土地的上方安装支撑架,然后在幼苗的一侧打入固定桩,然后由固定桩与支撑架之间连接有绳子;8)中期管理:中前期对土地进行松土,并且通过锄头来对杂草进行铲除,以此可以确保提高土地内的温度,藤蔓达到一定的长度时,将藤蔓捆绑到绳子上;9)施肥:在开花时,首先将肥料融入到水中,通过注射器注射的方式在大沟底部的两侧进行注射施肥,以此确保肥料完全被植物吸收,并且结果时候,再将硒化物和微量元素融入到水中,再次的进型注射,第一次果实采摘后,在次通过注射的方式进行施肥,以此确保第二次产出的果实质量;10)浇灌:在开花座果的时候,通过水泵将大沟内注满水,以此浇灌2‑3次,再果实生期间,每隔7‑10天浇灌一次,在果实成熟的时候再浇灌1‑2次;11)防虫:在开花前5‑7天之间喷洒一次农药,并且在果实生长时每隔15天喷洒一次。
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