[发明专利]一种包覆型钠离子三元正极材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 201710689099.4 申请日: 2017-08-13
公开(公告)号: CN107317020A 公开(公告)日: 2017-11-03
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 苏州思创源博电子科技有限公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/485;H01M4/525;H01M4/62;H01M10/054
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215009 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种包覆型钠离子三元正极材料的制备方法,所述方法制备的正极材料电化学稳定性好、比容量高、能量密度高、制备方法简单;本发明碳硅包覆材料具有的多孔特性有利于电解液的吸收储存,并给硅材料充放电过程中体积膨胀提供空间,多孔硅尺寸纳米级,亦起到缓解硅颗粒体积效应作用,因此具有可逆容量高,循环性能好,倍率性能优异的优点。
搜索关键词: 一种 包覆型 钠离子 三元 正极 材料 制备 方法
【主权项】:
一种包覆型钠离子三元正极材料的制备方法,该方法包括如下步骤:(1)制备得到三元正极材料将碳酸钠、氧化铜、氧化铁按照质量比10:(0.03‑0.1):(0.15‑0.26),研磨混合均匀后,在氧气氛围下,在1200‑1350℃下反应20‑30小时,冷却后,研磨成粒径小于10μm的颗粒物,得到所述三元正极材料;(2)制备碳硅包覆材料将微米硅、石蜡、淀粉、乙二醇按质量比(15‑35):(30‑10):(15‑25):100比例混合后球磨为球磨混合物,对球磨混合物进行干燥造粒得到微米硅、石蜡、淀粉均匀分布的前驱体;将所得前驱体加热处理,使石蜡熔出,得到多孔结构的硅与碳源均匀分布的前驱体材料,所述前驱体加热处理控制加热处理温度为100‑150℃,处理时间为10‑15h;将所得前驱体材料,在惰性气氛保护下高温烧结,得到碳硅包覆材料;所述高温烧结是控制烧结温度为900‑1000℃,控制烧结时温度的升温速率为5‑15℃/min;烧结时间为10‑20h;(3)复合包覆将所述三元正极材料与所述碳硅包覆材料按照质量比(85‑60):1在混料机中混合均匀;在大气条件下,将所述混合好的材料进行烧制,升温至860℃‑950℃,保温10‑15h,冷却后得到产品。
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