[发明专利]一种铜箔基底石墨烯转移的改良方法

摘要

本发明涉及到一种铜箔基底石墨烯转移的改良方法，首先将铜箔基底石墨烯用去离子水清洗干净，并在真空中干燥；将配置好的PMMA溶液均匀旋涂在石墨烯/铜箔上，形成PMMA/石墨烯/铜箔复合层；然后将其置于加热炉中加热，再冷却到室温，以便形成支撑物；再用稀盐酸刻蚀，消除铜基底。本发明为了提高转移石墨烯的质量，采用了RCA清洗法处理目标基底硅片，再将PMMA/石墨烯复合层置于硅片上，接着对硅片基底进行加热处理。然后用丙酮溶液浸泡复合层以去除PMMA，最后成功得到硅基底石墨烯。本发明减少了转移后石墨烯的皱褶、裂缝等缺陷，最大程度去除了目标基底上的金属颗粒物，增强其亲水性，极大地提高了石墨烯转移质量。

主权项

一种铜箔基底石墨烯转移的改良方法，其特征在于，包括以下几个步骤：A.将制备好的铜箔基底石墨烯样品用去离子水清洗干净，并且放在真空中干燥；B.配置聚甲基丙烯酸甲酯溶液，并用旋涂机把聚甲基丙烯酸甲酯溶液均匀旋涂在铜箔基底石墨烯上，形成铜箔基底石墨烯复合层；C.对步骤B中的铜箔基底石墨烯复合层进行热处理，再进行冷却处理，以在铜箔基底石墨烯表面形成支撑物；D.将步骤C中的铜箔基底石墨烯复合层放在稀盐酸中刻蚀，以除去铜箔基底，得到聚甲基丙烯酸甲酯基底石墨烯，并用去离子水清洗干净；E.将步骤D中的聚甲基丙烯酸甲酯基底石墨烯置于硅片上，然后对其硅片进行加热处理，形成聚甲基丙烯酸甲酯基底石墨烯复合层；F.用丙酮浸泡步骤E中的聚甲基丙烯酸甲酯基底石墨烯复合层，除去聚甲基丙烯酸甲酯基底，并用去离子水清洗干净，加热烘干即可得到硅基底的石墨烯。