[发明专利]一种基于硅通孔阵列的无片外电容LDO电路

摘要

本发明公开的基于硅通孔阵列的无片外电容LDO电路包括带隙基准电路、误差放大器、驱动器、输出功率管、采样电阻网络和硅通孔电容，误差放大器的正输入端与采样电阻网络的输出端连接，误差放大器的负输入端与带隙基准电路的输出端连接，误差放大器的输出端与驱动器的输入端连接，驱动器的输出端驱动输出功率管，输出功率管的输出端分别与采样电阻网络的一端和硅通孔电容的一端连接，采样电阻网络的另一端和硅通孔电容的另一端连接并接地，带隙基准电路、误差放大器、驱动器和输出功率管分别接外部输入电源。该LDO电路无需增加额外电容倍增电路或片外电容，可有效抑制外部输入电源的噪声，具有工艺兼容性好、面积小、容量大、电源抑制比高的优点。

主权项

1.一种基于硅通孔阵列的无片外电容LDO电路，包括带隙基准电路、误差放大器、驱动器、输出功率管和采样电阻网络，所述的误差放大器的正输入端与所述的采样电阻网络的输出端连接，所述的误差放大器的负输入端与所述的带隙基准电路的输出端连接，所述的误差放大器的输出端与所述的驱动器的输入端连接，所述的驱动器的输出端驱动所述的输出功率管，所述的输出功率管的输出端与所述的采样电阻网络的一端连接，所述的采样电阻网络的另一端接地，所述的带隙基准电路、所述的误差放大器、所述的驱动器和所述的输出功率管分别接外部输入电源，其特征在于还硅通孔电容，所述的输出功率管的输出端和所述的硅通孔电容的一端连接，所述的采样电阻网络的另一端和所述的硅通孔电容的另一端连接，所述的硅通孔电容由并行连接的N×N个同轴硅通孔以方块阵列形式构成，每个所述的同轴硅通孔包括自内而外依次设置的金属内芯、第一二氧化硅介质层、BCB介质层、第二二氧化硅介质层、金属外芯和第三二氧化硅介质层，所述的N×N个同轴硅通孔的金属内芯的一端分别经一第一金属片并行连接，形成所述的硅通孔电容的输入电极；所述的N×N个同轴硅通孔的第三二氧化硅介质层分别由一硅衬底包裹，所述的N×N个同轴硅通孔的沿方块阵列一条或两条边长方向的任意相邻的两个同轴硅通孔的金属外芯分别经一第二金属片并行连接，形成所述的硅通孔电容的输出电极，所述的输出电极接地。