[发明专利]一种硅通孔结构、硅通孔结构的制造方法及其装置在审
| 申请号： | 201710674721.4 | 申请日： | 2017-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN109385650A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 朱文辉;吴厚亚;王彦;王福亮;何虎 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C25D3/38 | 分类号： | C25D3/38;C25D15/00;H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 | 代理人： | 周孝湖 |
| 地址： | 410083 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅通孔结构，包括设于硅片上的硅通孔，所述硅通孔内填充有铜电镀层，所述铜电镀层内分散有热膨胀系数低于铜的纳米颗粒。该硅通孔结构散热效果好，可减小热应力，有效延长芯片的服役寿命。本发明还相应提供了一种上述硅通孔结构的制造方法和制造方法所用的装置，该制造方法通过向电镀液中添加纳米颗粒，在电镀过程中铜在阴极被还原并将纳米颗粒包覆在其中，在铜电镀层中均匀分散纳米颗粒。通过该制造方法可获得纳米颗粒分散均匀的铜电镀层，得到散热效果更好，性能更加均一的硅通孔结构。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 纳米颗粒 铜电镀层 制造 散热效果 纳米颗粒分散 阴极 热膨胀系数 服役寿命 电镀液 热应力 电镀 包覆 硅片 减小 均一 填充 还原 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种硅通孔结构，包括设于硅片上的硅通孔，其特征在于，所述硅通孔内填充有铜电镀层，所述铜电镀层内分散有热膨胀系数低于铜的纳米颗粒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中南大学，未经中南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710674721.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种低氢脆酸性无氰电镀锌工艺方法
- 下一篇：铜填充的凹槽的方法
