[发明专利]双串联反激电路在审
申请号: | 201710625974.2 | 申请日: | 2017-07-27 |
公开(公告)号: | CN107294390A | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
发明(设计)人: | 陈大锋 | 申请(专利权)人: | 郑州瑞能电源技术有限公司 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335;H02M1/32;G01R19/00 |
代理公司: | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)11411 | 代理人: | 郑自群 |
地址: | 450000 河南省郑州市*** | 国省代码: | 河南;41 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种双串联反激电路,包括第一RCD吸收回路、第一电流检测电路、第二RCD吸收回路、第二电流检测电路、MOS管Q8、MOS管Q9和变压器,所述第一RCD吸收回路并联在变压器1/2绕组的引脚1和引脚2上,所述MOS管Q8的源极连接第一RCD吸收回路,栅极分别连接脉冲控制信号OGA和第一电流检测电路,漏极连接第一电路检测电路;所述第一电流检测电路分别连接第二RCD吸收回路和变压器1/2绕组的引脚3。本发明能够有效解决MOS管耐压问题,成本低,制作使用方便。 | ||
搜索关键词: | 串联 电路 | ||
【主权项】:
一种双串联反激电路,其特征在于:包括第一RCD吸收回路、第一电流检测电路、第二RCD吸收回路、第二电流检测电路、MOS管Q8、MOS管Q9和变压器,所述第一RCD吸收回路并联在变压器1/2绕组的引脚1和引脚2上,所述MOS管Q8的源极连接第一RCD吸收回路,栅极分别连接脉冲控制信号OGA和第一电流检测电路,漏极连接第一电路检测电路;所述第一电流检测电路分别连接第二RCD吸收回路和变压器1/2绕组的引脚3,引脚3连接中点电压VHO,所述第二RCD吸收回路并联在变压器1/2绕组的引脚3和引脚4上,变压器1/2绕组的引脚4连接MOS管Q9源极,MOS管Q9的栅极分别连接脉冲控制信号OGB和第二电流检测电路,漏极连接第二电流流检测电路;变压器二次绕组L2按照匝比感应一次绕组L1的电压,二次绕组L2的引脚9连接二极管D1的正极,二次绕组L2的引脚8连接电容器的负极,所述二极管的负极连接电容器的正极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于郑州瑞能电源技术有限公司,未经郑州瑞能电源技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710625974.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。