[发明专利]高压电平位移电路及半导体器件有效
| 申请号： | 201710620849.2 | 申请日： | 2017-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109309493B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 權彞振;倪昊;殷常伟;郁红 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 王云飞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高压电平位移电路及半导体器件。该高压电平位移电路包括：电平转换电路，用于将具有第一高电平的输入信号转换成具有第二高电平的输出信号；第一开关，所述第一开关的一端与第一电源连接，所述第一开关的另一端与所述第一晶体管的控制端连接；第二开关，所述第二开关的一端与所述第一晶体管的控制端连接，所述第二开关的另一端与所述第一连接点连接；开关控制电路，分别与所述第一开关和所述第二开关连接，用于控制第一开关和第二开关不同时导通。本发明通过在电平转换电路中新增第一开关和第二开关，并通过开关控制电路控制第一开关和第二开关不同时导通，从而大大降低了高压电平位移电路在电压转换过程中会产生的静态电流。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 电平 位移 电路 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种高压电平位移电路，其特征在于，包括：电平转换电路，用于将具有第一高电平的输入信号转换成具有第二高电平的输出信号，所述第二高电平高于所述第一高电平，其中所述电平转换单元包括第一导电类型的第一晶体管和第二晶体管以及第二导电类型的第三晶体管和第四晶体管，所述第一晶体管与所述第三晶体管在第一连接点处连接，所述第二晶体管与所述第四晶体管在第二连接点处连接，所述第一晶体管的控制端与所述第二晶体管的控制端连接；第一开关，所述第一开关的一端与第一电源连接，所述第一开关的另一端与所述第一晶体管的控制端连接；第二开关，所述第二开关的一端与所述第一晶体管的控制端连接，所述第二开关的另一端与所述第一连接点连接；开关控制电路，分别与所述第一开关和所述第二开关连接，用于控制第一开关和第二开关不同时导通。
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