[发明专利]一种高速单光子探测器单片集成电路在审
申请号: | 201710607174.8 | 申请日: | 2017-07-24 |
公开(公告)号: | CN107271059A | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 张军;蒋文浩;潘建伟 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | G01J11/00 | 分类号: | G01J11/00 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司11260 | 代理人: | 郑立明,郑哲 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种高速单光子探测器单片集成电路,通过高速单光子探测器单片集成电路提取高速雪崩信号,一方面取电路体积小,配置简单,极大提高整个探测系统的集成度;另一方面,电路集成度高,寄生参数小,极大的抑制了后脉冲概率。此外提取电路对容性响应信号抑制高,雪崩信号放大增益大,提高雪崩信号的信噪比,降低其甄别难度。 | ||
搜索关键词: | 一种 高速 光子 探测器 单片 集成电路 | ||
【主权项】:
一种高速单光子探测器单片集成电路,其特征在于,包括:依次连接的第一低通滤波器F1、第一低噪声放大器A1、第二低噪声放大器A2与第二低通滤波器F2;其中:雪崩信号和高频容性响应信号的混合信号经输入端口(1)接入高速雪崩信号提取芯片,第一低通滤波器F1对混合信号中的高频容性响应型号进行初步抑制,其输出信号接入依次连接的第一低噪声放大器A1与第二低噪声放大器A2进行放大,第一低噪声放大器A1通过第一输入配置端(3)和第一输出配置端(2)进行配置,低噪声放大器A2通过第二输入配置端(5)和第二输出配置端(4)进行配置,经过第一低噪声放大器A1与第二低噪声放大器A2放大后的信号再接入第二低通滤波器F2,由第二低通滤波器F2将放大后的信号中的高频容性响应信号再一次抑制,最后从输出端口(6)输出放大后的雪崩信号。
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