[发明专利]电真空器件介质窗片的金属化方法在审
| 申请号： | 201710597635.8 | 申请日： | 2017-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN107393790A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 刘青伦;薛辽豫;黄明光;王刚;姚刘聪;李云锦;胡小华;刘泳良 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | H01J23/36 | 分类号： | H01J23/36;H01J23/42;H01J9/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种电真空器件介质窗片的金属化方法，包括以下步骤步骤1、在基体上表面周期性间隔放置多个掩膜；步骤2、在基体放置有多个掩膜的一面形成金属化层；步骤3、去除多个掩膜；步骤4、在基体下表面周期性间隔放置多个掩膜，重复步骤2至3，使得基体的上、下表面均形成有金属化层；步骤5、切割步骤4中结构形成至少一个与电真空器件相匹配的、金属化的介质窗片。本发明采用阵列掩膜先在基体上进行周期排列的金属化，再切割形成电真空器件所需的介质窗片，从而可简单便捷的完成介质窗片的金属化，介质窗片的尺寸可很好地控制在2mm以内，且能够保证金属化层中心与介质窗片中心的同心度。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 器件 介质 金属化 方法 | ||
【主权项】：
一种电真空器件介质窗片的金属化方法，包括以下步骤：步骤1、在基体上表面周期性间隔放置多个掩膜；步骤2、在所述基体放置有多个掩膜的一面形成金属化层；步骤3、去除所述多个掩膜；步骤4、在所述基体下表面周期性间隔放置所述多个掩膜，重复所述步骤2至3，使得所述基体的上、下表面均形成有所述金属化层；步骤5、切割步骤4中结构形成至少一个与所述电真空器件相匹配的、金属化的介质窗片。
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