[发明专利]一种宽带高隔离度低交叉极化双线极化天线有效

专利信息
申请号: 201710588505.8 申请日: 2017-07-19
公开(公告)号: CN107591610B 公开(公告)日: 2019-11-05
发明(设计)人: 程钰间;周明明;阿泽;刘双;樊勇;宋开军;张波;林先其;张永鸿 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01Q1/36 分类号: H01Q1/36;H01Q1/52;H01Q13/00;H01Q21/00
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 甘茂
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于毫米波天线领域,提供一种宽带高隔离度低交叉极化双线极化天线,适用于太赫兹频段无线全双工通信系统。本发明包括宽带子阵列馈电网络和双极化子阵单元天线,双极化子阵单元天线包括极化1馈电结构、极化2馈电结构、极化隔离结构、子阵功分结构和辐射单元,其中,极化1馈电结构与极化2馈电结构连接极化隔离结构、两者激励模式正交,子阵功分结构设置于极化隔离结构上、由功分耦合腔及设于功分耦合腔上表面的耦合缝隙构成,耦合缝隙通过匹配结构与辐射单元连接;本发明提供宽带高隔离度低交叉极化双线极化天线,能够实现宽带高效率高增益特性,双极化输入端口具有高隔离度(大于60dB)并且双线极化均具有高极化纯度(大于50dB)。
搜索关键词: 一种 宽带 隔离 交叉 极化 双线 天线
【主权项】:
1.一种宽带高隔离度低交叉极化双线极化天线,包括宽带子阵列馈电网络和双极化子阵单元天线,其特征在于,所述双极化子阵单元天线包括极化1馈电结构(11)、极化2馈电结构(12)、极化隔离结构(13)、子阵功分结构(14)和辐射单元(15),其中,所述极化隔离结构由极化耦合腔(131)及其上表面设置的“十”字耦合缝隙(132)构成,所述极化耦合腔(131)下表面中心位置设有极化1耦合缝隙、用于极化1馈电结构(11)实现馈电,所述极化耦合腔(131)侧壁中心位置设有极化2耦合缝隙、用于极化2馈电结构(12)实现馈电,所述极化1馈电结构(11)与极化2馈电结构(12)的激励模式相互正交,构成所述“十”字耦合缝隙(132)的两条耦合缝隙分别对应工作在两个极化状态;所述子阵功分结构(14)设置于“十”字耦合缝隙(132)上表面、由功分耦合腔(141)及设于功分耦合腔上表面的耦合缝隙(142)构成,所述功分耦合腔为四角均带切角的正方形腔体、四边的中心均设置微扰结构、每个切角位置对应开设一个耦合缝隙(142),耦合缝隙(142)通过匹配结构与辐射单元(15)连接;所述宽带子阵列馈电网络包括极化1馈电网络和极化2馈电网络,其中,极化1馈电网络与所述极化1馈电结构连接,极化2馈电网络与所述极化2馈电结构连接。
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