[发明专利]一种基于磁阻传感器的磁导率电磁层析成像方法在审

专利信息
申请号: 201710585304.2 申请日: 2017-07-18
公开(公告)号: CN107544040A 公开(公告)日: 2018-01-05
发明(设计)人: 王超;白瑞峰;崔自强 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: G01R33/12 分类号: G01R33/12;G01N27/74
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 代理人: 程毓英
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种基于磁阻传感器的磁导率电磁层析成像方法,所采用的传感器为电磁成像传感器,包括M个激励线圈、N对磁阻传感器和电磁屏蔽层,激励线圈和磁阻传感器均放置于电磁屏蔽层内部;每个激励线圈有单独的激励通道;激励线圈排布在柱形物场区域外的同一个截面上;各对磁阻传感器也排布在此同一个截面上,激励线圈与磁阻传感器排布在不同的圆周上,且每对磁阻传感器均位于某个激励线圈内部。在控制模块的控制下,激励信号产生与功率放大单元产生不同幅值不同频率的激励信号,通过多通道选通开关接通到指定的激励线圈上,磁阻传感器所输出的信号通过选通开关经过信号调理与采集单元送入控制模块;控制模块进行解调后通过通信模块传递到上位机。
搜索关键词: 一种 基于 磁阻 传感器 磁导率 电磁 层析 成像 方法
【主权项】:
一种基于磁阻传感器的磁导率电磁层析成像方法,用于对位于柱形物场区域的多相流体系中磁导率物质相识别与相分布检测,所采用的成像系统包括传感器、通信模块、控制模块、信号调理与采集单元、激励信号产生与功率放大、多通道选通开关和上位机,其特征在于,所采用的传感器为电磁成像传感器,包括M个激励线圈、N对磁阻传感器和电磁屏蔽层,激励线圈和磁阻传感器均放置于电磁屏蔽层内部;每个激励线圈有单独的激励通道;激励线圈排布在柱形物场区域外的同一个截面上;各对磁阻传感器也排布在此同一个截面上,激励线圈与磁阻传感器排布在不同的圆周上,且每对磁阻传感器均位于某个激励线圈内部;每对磁阻传感器能检测物场径向和切向的磁场大小。在控制模块的控制下,激励信号产生与功率放大单元产生不同幅值不同频率的激励信号,通过多通道选通开关接通到指定的激励线圈上,磁阻传感器所输出的信号通过选通开关经过信号调理与采集单元送入控制模块;控制模块进行解调后通过通信模块传递到上位机;测量方法如下:(1)采用对称增强循环激励策略,M为偶数,且激励线圈均匀对称放置,每次分别对处于对称位置的两个激励线圈施加相同交变电流,且两激励线圈产生的磁场方向相同,依次扫描各磁阻传感器的输出信号,直至完成全部测量,通过径向与切向磁阻的矢量合成x+yi,最终得到其模值,组成测量值向量Ui=P×1,其中P是独立测量数;(2)利用所采集的数据得到灵敏度矩阵S=Pi×Q,其中Q为像素点,激励线圈个数为M,接收的磁阻传感器个数为N对,独立测量数Pi为M×N;(3)建立灵敏度矩阵线性化模型,并对其归一化,U=Sg式中U是归一化测量值向量,S是灵敏度矩阵,g是表示物质磁导率相对变化的灰度值向量,即可由已知的U求解未知量g,但灵敏度矩阵S不是方阵,是病态矩阵,可利用ST代替逆阵;构建目标函数gμ=(STS+μI)‑1STU,其中,I是单位矩阵,μ为正则化参数,(STS+μI)‑1ST为正则化过程即敏感场的最优化重建矩阵,由各个像素上的灰度值进行成像。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710585304.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top