[发明专利]同步整流转换器有效
申请号: | 201710570771.8 | 申请日: | 2017-07-13 |
公开(公告)号: | CN107508473B | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 尹健;罗阳;李海松;陶平;易扬波 | 申请(专利权)人: | 苏州博创集成电路设计有限公司 |
主分类号: | H02M7/217 | 分类号: | H02M7/217 |
代理公司: | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人: | 王玉国 |
地址: | 215021 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及同步整流转换器,包括功率电路和控制电路,功率电路包含开关MOS管和采样MOS管,控制电路包含开启控制器、关断控制器和PWM控制驱动电路;控制电路输出驱动信号GATE至功率电路,并接收功率电路输出的采样信号VDET,功率电路中的开关MOS管和采样MOS管都集成在同一硅片上,采样MOS管能精确地采样到开关MOS管源漏极间的正负电压信号,实现对同步整流转换器开启和关断的精准控制。开关MOS管为采样MOS管提供大电流泄放通道,缓解其耐压压力。 | ||
搜索关键词: | 同步 整流 转换器 | ||
【主权项】:
1.同步整流转换器,包括功率电路和控制电路,其特征在于:所述功率电路包括开关MOS管(N1)和采样MOS管(N2),所述控制电路包括开启控制器(201)、关断控制器(202)和PWM控制驱动电路(203);所述开关MOS管(N1)和采样MOS管(N2)的漏极与高压端口(SW)相连;所述开关MOS管(N1)的栅极与PWM控制驱动电路(203)相连,接收其输出的驱动信号(GATE),开关MOS管(N1)的源极与参考地端口(GND)相连;所述采样MOS管(N2)的栅极与供电端口(VCC)相连,采样MOS管(N2)的源极与开启控制器(201)和关断控制器(202)相连,向其输出采样信号(VDET);所述开启控制器(201)接收采样MOS管(N2)输出的采样信号(VDET),开启控制器(201)与PWM控制驱动电路(203)相连,接收PWM控制驱动电路(203)输出的调制脉宽信号(PWM),开启控制器(201)与关断控制器(202)相连,接收关断控制器(202)输出的自适应开启信号(VDET_on),并输出开启使能信号(MOS_ON_EN)至关断控制器(202),输出开启信号(SR_ON)至PWM控制驱动电路(203);所述关断控制器(202)接收采样MOS管(N2)输出的采样信号(VDET),关断控制器(202)与开启控制器(201)相连,向其输出自适应开启信号(VDET_on),关断控制器(202)与PWM控制驱动电路(203)相连,接收其输出的调制脉宽信号(PWM),并输出关断信号(SR_OFF)至PWM控制驱动电路(203);所述PWM控制驱动电路(203)与开启控制器(201)、关断控制器(202)相连,接收开启信号(SR_ON)和关断信号(SR_OFF),输出调制脉宽信号(PWM)至开启控制器(201)和关断控制器(202),且与开关MOS管(N1)的栅极相连,向其输出驱动信号(GATE);所述开启控制器(201)包括第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三NMOS管(N3)、第四NMOS管(N4)、第一逻辑门反相器(I1)、第二逻辑门D触发器(I2)、第三逻辑门与门(I3)、第一比较器(A1)、第二比较器(A2)、第三比较器(A3)和第四比较器(A4);第一电容(C1)的一端与第三NMOS管(N3)的漏极、第一内部电流源(Source1)和第二比较器(A2)的A端相连;第二电容(C2)的一端与第四NMOS管(N4)的漏极、第二内部电流源(Source2)和第四比较器(A4)的A端相连;第三NMOS管(N3)的栅极与第一比较器(A1)的输出OUT端和第三逻辑门与门(I3)的输入一端相连,且接开启使能信号SR_ON_EN端;第四NMOS管(N4)的栅极与第三比较器(A3)的输出OUT端相连;第一逻辑门反相器(I1)的输入端连接调制脉宽信号PWM端,输出端与第二逻辑门D触发器(I2)的清零CLR端相连;第二逻辑门D触发器(I2)的D端和置位SET端相连与供电端口(VCC)连接,沿触发端接第四比较器(A4)的输出OUT端,输出
端与第三逻辑门与门(I3)的输入一端相连,输出
端输出最短关断时间信号Toffmin至第三逻辑门与门(I3)的输入一端;第三逻辑门与门(I3)的一输入端与第一比较器(A1)的输出OUT端和第三NMOS管(N3)的栅极相连,接收开启使能信号SR_ON_EN,其另一输入端与第二逻辑门D触发器(I2)的输出
端相连,接收最短关断时间信号Toffmin,其输出端接开启信号(SR_ON);第一比较器(A1)的A端连接自适应开启信号(VDET_on),其B端连接参考地,其输出OUT端与第三NMOS管(N3)的栅极、第三逻辑门与门(I3)的一输入端相连,且接开启使能信号SR_ON_EN端;第二比较器(A2)的A端与第三NMOS管(N3)的漏极、第一电容(C1)和第一内部电流源(Source1)相连,其B端连接内部基准电压Vref端,其输出OUT端与第四比较器(A4)的Ctrl端相连,输出最短关断时间信号二Toffmin2至第四比较器(A4)的Ctrl端;第三比较器(A3)的A端连接采样信号(VDET),其B端连接参考地,其输出OUT端与第四NMOS管(N4)的栅极相连;第四比较器(A4)的A端与第二电容(C2)的一端、第四NMOS管(N4)的漏极和第二内部电流源(Source2)相连,其B端连接内部基准电压Vref端,其Ctrl端与第二比较器(A2)的输出OUT端相连,接收最短关断时间信号二Toffmin2,其输出OUT端连接第二逻辑门D触发器(I2)的沿触发端。
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