[发明专利]测定多孔薄膜厚度和孔隙率的方法有效

专利信息
申请号: 201710558888.4 申请日: 2017-07-10
公开(公告)号: CN107270822B 公开(公告)日: 2019-07-05
发明(设计)人: 祁志美;万秀美;高然;程进 申请(专利权)人: 中国科学院电子学研究所
主分类号: G01B11/06 分类号: G01B11/06;G01N15/08
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 曹玲柱
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开提供了一种测定多孔薄膜厚度和孔隙率的方法,其对测得的至少两个测试共振光谱进行仿真拟合,得到多孔薄膜厚度d与其孔隙率P的至少两个P‑d函数关系,最后由这至少两个P‑d函数关系曲线的交点得到待测多孔薄膜的厚度及孔隙率。本公开不仅实现了直接对多孔薄膜的厚度进行测量,还可同时获得多孔薄膜的孔隙率,具有简便易行、成本低廉、无破坏性等特点,具有较好的应用前景。
搜索关键词: 测定 多孔 薄膜 厚度 孔隙率 方法
【主权项】:
1.一种测定多孔薄膜厚度和孔隙率的方法,包括:获得包括透明基底、缓冲膜和待测多孔薄膜依次设置的共振芯片;获得所述共振芯片在不同测试条件的至少两条测试共振光谱‑第一测试共振光谱和第二测试共振光谱,其中,第一测试共振光谱对应于第一测试条件,第二测试共振光谱对应于第二测试条件;通过对第一测试共振光谱的仿真拟合,求取在第一测试条件下,表征待测多孔薄膜的孔隙率和厚度关系的第一函数;及通过对第二测试共振光谱的仿真拟合,求取在第二测试条件下,表征待测多孔薄膜的孔隙率和厚度关系的第二函数;以及求解同时满足第一函数和第二函数的孔隙率和厚度,即为待测多孔薄膜的孔隙率和厚度。
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