[发明专利]内嵌式微带谐振器、宽抑制滤波器及其设计方法有效
申请号: | 201710544586.1 | 申请日: | 2017-07-06 |
公开(公告)号: | CN107492703B | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 魏斌;曹必松;郭旭波;王翔;王丹 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01P7/08 | 分类号: | H01P7/08;H01P1/203;H01P11/00 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 温子云;仇蕾安 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种内嵌式微带谐振器,包括:第一低阻抗块、高阻抗块和第二低阻抗块;第一低阻抗块为块状结构内部作掏空处理,第二低阻抗块为块状结构,高阻抗块为蜿蜒线结构;第二低阻抗块和高阻抗块位于第一低阻抗块内,高阻抗块与两个低阻抗块相连。通过调节三个阻抗块的长度之和,调节谐振器的中心频率;通过调节第二低阻抗块的长度l和/或宽度w,调节谐振器的第一寄生频率fs与基频f0的比值;通过改变相邻内嵌式微带谐振器间的距离来改变各节滤波的耦合系数。本发明还提供了一种采用该内嵌式微带谐振器构成的宽抑制滤波器及其设计方法,能够设计出高性能、小型化的滤波器。 | ||
搜索关键词: | 式微 谐振器 抑制 滤波器 及其 设计 方法 | ||
【主权项】:
1.一种内嵌式微带谐振器,其特征在于,包括:第一低阻抗块(1)、高阻抗块(2)和第二低阻抗块(3);第一低阻抗块为块状结构内部作掏空处理,第二低阻抗块为块状结构,高阻抗块为线状结构;第二低阻抗块和高阻抗块位于第一低阻抗块内,高阻抗块与两个低阻抗块相连;该内嵌式微带谐振器采用三层结构实现,依次为上层微带线层、基片和下层接地层;上层微带线层包括馈线和由第一低阻抗块(1)、高阻抗块(2)和第二低阻抗块(3)组成的谐振器。
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