[发明专利]一种BMS的校准及测试方法在审

专利信息
申请号: 201710516550.2 申请日: 2017-06-29
公开(公告)号: CN107688161A 公开(公告)日: 2018-02-13
发明(设计)人: 郑庆芳 申请(专利权)人: 惠州市蓝微新源技术有限公司
主分类号: G01R35/00 分类号: G01R35/00
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司44245 代理人: 蒋剑明
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种BMS的校准及测试方法,包括内、外总压校准步骤S11将待测BMS产品处于第一预设内、外总压条件下,读取当前第一预设内、外总压条件下待测BMS产品的AD值VAD1和Real值VReal1;S12将待测BMS产品处于第二预设内、外总压条件下,读取当前第二预设内、外总压条件下待测BMS产品的AD值VAD2和Real值VReal2;S13计算电压增益值Gainv=|VReal2‑VReal1|*10000/|VAD2‑VAD1|;S14计算电压偏置值Offsetv=((VReal2*10000‑VAD2*Gainv)+(VReal1*10000‑VAD1*Gainv))/2;S15将电压增益值Gainv和电压偏置值Offsetv写入待测BMS产品的存储器。本次技术方案可以对待测BMS产品进行全范围的校准测试,提高待测BMS产品的安全性。
搜索关键词: 一种 bms 校准 测试 方法
【主权项】:
一种BMS的校准及测试方法,其特征在于,包括内、外总压校准步骤:S11:将待测BMS产品(700)处于第一预设内、外总压条件下,读取当前第一预设内、外总压条件下待测BMS产品(700)的AD值VAD1和Real值VReal1;S12:将待测BMS产品(700)处于第二预设内、外总压条件下,读取当前第二预设内、外总压条件下待测BMS产品(700)的AD值VAD2和Real值VReal2;S13:计算电压增益值:Gainv=|VReal2‑VReal1|*10000/|VAD2‑VAD1|;S14:计算电压偏置值:Offsetv=((VReal2*10000‑VAD2*Gainv)+(VReal1*10000‑VAD1*Gainv))/2;S15:将电压增益值Gainv和电压偏置值Offsetv写入待测BMS产品(700)的存储器。
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