[发明专利]用于提高工业石墨烯膜层导电性能的架桥材料及其架桥方法

摘要

本发明公开了一种用于提高工业石墨烯膜层导电性能的架桥材料及其架桥方法，该架桥材料的压片电导率大于10⁶ S/m，直径在10~200 nm之间，长度在10~300μm之间，其中，架桥材料长度与石墨烯片径之比在5:1‑150:1之间。本发明利用上述架桥材料与工业石墨烯浆料均匀混合并形成膜层后，将架桥材料与多片石墨烯连接，形成架桥结构，增加了石墨烯片与片表面之间的电子传递通路，降低了电子传递过程中的阻抗，从而提高了膜层整体电导率。

主权项

1.一种用于提高工业石墨烯膜层导电性能的架桥材料，其特征在于，所述架桥材料为高导电、大长径比的一维纳米材料，其压片电导率大于10⁶ S/m，直径在10~200 nm之间，长度在10~300 μm之间，其中，架桥材料长度与工业石墨烯片径之比在5:1-150:1之间，所述架桥材料包括由多壁碳纳米管和纳米银颗粒形成的复合物，该复合物在成分上，由多壁碳纳米管和纳米银颗粒组成；其尺寸上，多壁碳纳米管长度在10-30 μm、管径在10-30 nm之间，纳米银颗粒粒径在1-10 nm之间，其中，5-7 nm之间占50%以上；其含量上，多壁碳纳米管和银离子质量比例在1:0.7-1:2.1之间；其形貌上，纳米银颗粒生长在多壁碳纳米管表面。/n