[发明专利]一种富硒山葵的种植方法在审
申请号: | 201710504493.6 | 申请日: | 2017-06-28 |
公开(公告)号: | CN107094490A | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 肖兵;朱精康 | 申请(专利权)人: | 四川硒精康生物科技有限公司 |
主分类号: | A01G1/00 | 分类号: | A01G1/00;A23L3/40 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司51230 | 代理人: | 徐金琼 |
地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种富硒山葵的种植方法,涉及富硒种植技术领域,包括如下步骤(1)选择重金属低于环境背景值的土壤或者将土壤中的重金属处理至低于环境背景值,备用;(2)将山葵种子播种在步骤(1)中提供的土壤中,发芽、长至秋季10‑12cm高后,将山葵幼苗移植于大棚中,山葵生长环境控制为每天日照时间不超过2小时、生长温度控制为‑10‑24℃,大棚中的土壤为步骤(1)中提供的土壤;(3)在山葵生长2‑3个月后至收获期前一个月期间,每月浇两次质量浓度为100mg/Kg‑600mg/Kg的富硒水;(4)将收获的山葵采用冷风烘干的方式烘干,即得到富硒山葵。 | ||
搜索关键词: | 一种 富硒山葵 种植 方法 | ||
【主权项】:
一种富硒山葵的种植方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)选择重金属低于环境背景值的土壤或者将土壤中的重金属处理至低于环境背景值,备用;(2)将山葵种子播种在步骤(1)中提供的土壤中,发芽、长至秋季10‑12cm高后,将山葵幼苗移植于大棚中,山葵生长环境控制为:每天日照时间不超过2小时、生长温度控制为‑10‑24℃,大棚中的土壤为步骤(1)中提供的土壤;(3)在山葵生长2‑3个月后至收获期前一个月期间,每月浇两次质量浓度为100mg/Kg‑600mg/Kg的富硒水;(4)将收获的山葵采用冷风烘干的方式烘干,即得到富硒山葵。
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