[发明专利]高压MOS功率器件终端特性仿真等效模型在审
| 申请号： | 201710492493.9 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN109117487A | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 沈立 | 申请（专利权）人： | 上海卓弘微系统科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201399 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明对于高压深Trench的MOS器件终端仿真，提出一种等效仿真模型（图1）。其特点是：由与原终端Trench等距等宽度的PN结组成，并且各部分参杂种类和浓度相同，可以大致模拟出原终端横向的崩溃电压。其好处在于：能较快找到符合要求终端的大致结构，等效结构简单，仿真程序简单，仿真速度快，节约时间成本。非90度角Trench器件的终端，某一深度的横向崩溃电压，亦可由此模型模拟，此时，等效模型中的PN结宽度由该深度下器件的Trench宽度与距离确定。 | ||
| 搜索关键词： | 崩溃电压 等效模型 原终端 终端 等效仿真 等效结构 仿真程序 功率器件 距离确定 模型模拟 时间成本 终端仿真 终端特性 高压MOS 等距 节约 | ||
【主权项】：
1.一种高压MOS器件终端的等效模型。
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