[发明专利]从经由标准单元接口互连的SRAM单元构建的环形振荡器有效
申请号: | 201710475615.3 | 申请日: | 2017-06-21 |
公开(公告)号: | CN107527640B | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | R·艾克尔 | 申请(专利权)人: | 马维尔亚洲私人有限公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10;G11C11/4093;G11C11/41 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅;张昊 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开涉及从经由标准单元接口互连的SRAM单元构建的环形振荡器,例如,一种集成电路(IC),包括:存储器、电路互连件和控制逻辑。存储器包括布置在IC的衬底上并且在多个第一层中的多个标准库静态随机访问存储器(SRAM)单元,从而用以读取和写入数据的对相应SRAM单元的访问是通过单元接口。在与第一层分离的一个或多个第二层中制造的电路互连件将SRAM单元的子集的单元接口互连以形成环形振荡器,该环形振荡器包括由经互连的SRAM单元限定的N级的级联。控制逻辑经由电路互连件而耦合到单元接口,并且被配置用于将输入信号施加于单元接口中的一个或多个,使得触发环形振荡器的振荡,其振荡的频率指示存储器的SRAM单元的速度。 | ||
搜索关键词: | 经由 标准 单元 接口 互连 sram 构建 环形 振荡器 | ||
【主权项】:
一种集成电路(IC),包括:存储器,所述存储器包括布置在所述IC的衬底上并且在多个第一层中的多个标准库静态随机访问存储器(SRAM)单元,其中用以读取和写入数据的针对相应SRAM单元的访问是通过单元接口进行的;电路互连件,所述电路互连件在与所述第一层分离的一个或多个第二层中制造,所述电路互连件被配置用于互连所述SRAM单元的子集的单元接口,以形成环形振荡器,所述环形振荡器包括由经互连的所述SRAM单元限定的N级的级联;和控制逻辑,所述控制逻辑经由所述电路互连件而耦合到所述单元接口,所述控制逻辑被配置用于将输入信号施加于所述单元接口中的一个或多个单元接口,使得触发所述环形振荡器的振荡,其中所述振荡的频率指示所述存储器的所述SRAM单元的速度。
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