[发明专利]一种基于超高电阻温度系数非晶态碳膜的温度传感器芯片在审
| 申请号： | 201710471207.0 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107389217A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 张琪;赵玉龙;马鑫;许佼;赵友;韩超;李波 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01K7/22 | 分类号： | G01K7/22 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所61215 | 代理人： | 贺建斌 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种基于超高电阻温度系数非晶态碳膜的温度传感器芯片，包括镀有氮化硅层的硅片基底，硅片基底表面采用离子蒸汽沉积超高TCR非晶碳膜，超高TCR非晶碳膜表面溅射第一金电极，在硅片基底表面制作二氧化硅保护层，二氧化硅层刻蚀使第一金电极裸露，将硅片基底固定在PCB板上，使用金丝键合连接第一金电极和第二金电极,最终通过引线孔接入电路，本发明制备简单，制备过程中耗费能量低，经济效益好；可与MEMS工艺融合，设计MEMS集成传感器，机械性能优越，具有低摩擦系数、耐腐蚀，耐磨等优良特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 超高 电阻 温度 系数 晶态 温度传感器 芯片 | ||
【主权项】：
一种基于超高电阻温度系数非晶态碳膜的温度传感器芯片，包括镀有氮化硅层的硅片基底(4)，其特征在于：硅片基底(4)表面采用离子蒸汽沉积超高TCR非晶碳膜(1)，超高TCR非晶碳膜(1)表面溅射第一金电极(2)，在硅片基底(4)表面制作二氧化硅保护层(3)，二氧化硅层刻蚀使第一金电极(2)裸露，将硅片基底(4)固定在PCB板(7)上，使用金丝(5)键合连接第一金电极(2)和第二金电极(6),最终通过引线孔(8)接入电路。
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