[发明专利]一种由纳米线构筑的SiC弹性陶瓷及其制备方法

摘要

本发明公开了一种由纳米线构筑的SiC弹性陶瓷及其制备方法，属于先进陶瓷制备技术领域。技术方案为：以多孔碳材料为骨架，以烷氧基硅烷水解制备的聚硅氧烷溶胶为前驱体，通过浸渍‑裂解‑气相反应，获得多孔碳材料/SiC纳米线中间结构，然后通过热氧化去除多孔碳材料骨架，获得纳米线构筑的SiC弹性陶瓷。该材料是由SiC纳米线通过自组装形成的具有一定强度、良好弹塑性、优异隔热性能的轻质三维网络结构。该方法为制备弹性陶瓷的新方法，可实现大尺寸、形状复杂的SiC弹性陶瓷的制备，同时制备周期短，成本低，适于工业化生产。

主权项

1.一种由纳米线构筑的SiC弹性陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)以烷氧基硅烷、蒸馏水为原料，以乙醇作为溶剂，酸作为催化剂，水解制备聚硅氧烷溶胶；所述烷氧基硅烷包括二甲基二甲氧基硅烷和甲基三甲氧基硅烷，二甲基二甲氧基硅烷和甲基三甲氧基硅烷的质量比为(2～6)：1；所述水解是在40～90℃下处理2～6h，控制聚硅氧烷溶胶为6～15mPa·s；2)以气孔率为75％～90％的多孔碳材料为骨架，通过负压浸渍向其内部浸入聚硅氧烷溶胶；3)将步骤2)浸渍后的试样静置，形成陶瓷前驱体，然后将陶瓷前驱体放入真空干燥箱中持续处理至溶胶完全凝胶化，随后在氩气中加热至1400～1600℃裂解，保温0.5～2h，随炉冷却至室温；4)将裂解后的试样置于空气炉中，在800～1000℃下保温1～3h，制得由纳米线构筑的SiC弹性陶瓷。