[发明专利]一种自动箝位电路在审

专利信息
申请号: 201710462429.6 申请日: 2017-06-19
公开(公告)号: CN107181398A 公开(公告)日: 2017-09-19
发明(设计)人: 马丽娟 申请(专利权)人: 马丽娟
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 101300 北京市顺*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种自动箝位电路,包括箝位开关M1,主功率开关M2,第一二极管D1,第二二极管D2,第一电阻R1,第一电容C1,线圈N1,当箝位开关M1是MOSFET时,其栅极和源极分别连接第一二极管D1的阴极和阳极,其栅极和漏极分别连接第二二极管D2的阳极和阴极;主功率开关M2的漏极与第一二极管D1的阴极串联,第一二极管D1的阳极与线圈N1串联,第一电阻R1并联于第一二极管D1的阴极和阳极形成RD并联电路;第一电容C1连接箝位开关M1的漏极形成串联电路,此串联电路与线圈N1并联形成闭合电路;第一电容C1受箝位开关M1的控制,用于释放和吸收线圈N1的部分能量。
搜索关键词: 一种 自动 箝位 电路
【主权项】:
一种自动箝位电路,包括箝位开关M1,主功率开关M2,第一二极管D1,第二二极管D2,第一电阻R1,第一电容C1,线圈N1,其特征是,当所述的箝位开关M1是MOSFET时,其栅极和源极分别连接第一二极管D1的阴极和阳极,其栅极和漏极分别连接第二二极管D2的阳极和阴极;所述的主功率开关M2的漏极与第一二极管D1的阴极串联,第一二极管D1的阳极与线圈N1串联,第一电阻R1并联于第一二极管D1的阴极和阳极,形成RD并联电路;所述的第一电容C1连接箝位开关M1的漏极形成一串联电路,此串联电路与线圈N1并联,形成闭合电路;第一电容C1受箝位开关M1的控制,第一电容C1用于释放和吸收线圈N1的部分能量。
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