[发明专利]射频单端转差分跨导互补型高性能下混频器有效
| 申请号： | 201710446729.5 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN107134980B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 吴晨健;周炎 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H03D7/14 | 分类号： | H03D7/14 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 杨慧林 |
| 地址： | 215000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种射频单端转差分跨导互补型高性能下混频器，包括跨导级电路、开关级电路、负载级电路，跨导级电路包括第一级跨导单元和第二级跨导单元，第一级跨导单元为NMOS‑PMOS对，第二级跨导单元为PMOS‑NMOS对。本申请采用电流复用技术，在不增加功耗的基础上提升了电路设计和优化的自由度，避免了由于堆叠结构带来的增益不足的问题。跨导级采用NMOS‑PMOS对的结构，形成相位相差180°的RF信号，不仅避免了使用片上巴伦，有效减少了芯片面积，也有效降低了电路噪声。如果只采用一级NMOS‑PMOS对的跨导结构，会导致输出I/Q两路线性度不一致。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 单端转差分跨导 互补 性能 混频器 | ||
【主权项】：
一种射频单端转差分跨导互补型高性能下混频器，其特征在于，包括跨导级电路、开关级电路、负载级电路，其中所述跨导级电路包括第一级跨导单元和第二级跨导单元，所述第一级跨导单元为NMOS‑PMOS对，所述第二级跨导单元为PMOS‑NMOS对。
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