[发明专利]基于隧道磁阻效应的单轴微机械位移传感器有效
| 申请号： | 201710438107.8 | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN107131819B | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 崔敏;刘晓东;黄用;王威;李新娥 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | G01B7/02 | 分类号： | G01B7/02 |
| 代理公司： | 太原华弈知识产权代理事务所 14108 | 代理人： | 李毅 |
| 地址： | 030051*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 一种基于隧道磁阻效应的单轴微机械位移传感器，包括键合基板、位移敏感体、铁磁性薄膜和隧道磁敏电阻，位移敏感体由位移敏感体框体、敏感质量块及回折梁构成，位移敏感体框体固定在键合基板上，敏感质量块置于位移敏感体框体内，通过回折梁与位移敏感体框体连接，敏感质量块上表面固定有铁磁性薄膜，键合基板上表面设有与铁磁性薄膜位置对应的隧道磁敏电阻。本发明的单轴微机械位移传感器采用整体结构设计，将位移传感器集成制作于同一框体上，可将微机械位移传感器的灵敏度提高1～2个数量级。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 隧道 磁阻 效应 微机 位移 传感器 | ||
【主权项】：
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