[发明专利]抗辐射存储单元

摘要

抗辐射存储单元，涉及集成电路领域，具体为集成电路抗辐射加固领域中的抗单粒子翻转效应的存储单元设计领域。解决了辐射粒子使得存储器存储的信息翻转，从而降低存储器可靠性的问题。本发明针对单粒子翻转效应，利用切断反馈回路的方法，提高了存储单元的抗辐射能力。在本发明中，主要是采用了16个晶体管设计了一个新型抗单粒子翻转的存储单元来进行抗辐射的加固。本发明所述的存储单元主要用于充满辐射粒子的宇宙环境中。

主权项

抗辐射存储单元，其特征在于，包括4个PMOS晶体管和12个NMOS晶体管；4个PMOS晶体管分别定义为P1至P4；12个NMOS晶体管分别定义为N1至N12；晶体管P1的源极、晶体管P2的源极、晶体管P3的源极和晶体管P4的源极均接供电电源Vdd；晶体管P1的栅极与晶体管N12的漏极连接，晶体管P1的漏极与晶体管N12的栅极、晶体管N9的源极、晶体管N1的漏极、晶体管N5的源极、晶体管N4的栅极和输出节点X1同时连接；晶体管P2的栅极与晶体管N9的漏极连接，晶体管P2的漏极与晶体管N9的栅极、晶体管N10的源极、晶体管N2的漏极、晶体管N1的栅极、晶体管N6的源极和输出节点X2同时连接；晶体管P3的栅极与晶体管N10的漏极连接，晶体管P3的漏极与晶体管N10的栅极、晶体管N11的源极、晶体管N2的栅极、晶体管N3的漏极、晶体管N7的源极和输出节点X3同时连接；晶体管P4的栅极与晶体管N11的漏极连接，晶体管P4的漏极与晶体管N11的栅极、晶体管N12的源极、晶体管N3的栅极、晶体管N4的漏极、晶体管N8的源极和输出节点X4同时连接；晶体管N1的源极与晶体管N2的源极、晶体管N3的源极、晶体管N4的源极同时接地；晶体管N5的漏极与晶体管N7的漏极同时接入位线BL；晶体管N6的漏极与晶体管N8的漏极同时接入位线BLN；晶体管N5的栅极与晶体管N6的栅极、晶体管N7的栅极和晶体管N8的栅极同时接字线WL。