[发明专利]一种基于3D打印的GaAs基边发射激光器制备方法

摘要

一种基于3D打印的GaAs基边发射激光器制备方法。制备流程，包括外延片生长、台面刻蚀、深沟刻蚀、3D打印绝缘钝化层、3D打印P面电极、GaAs衬底减薄、抛光、3D打印N面电极、真空划片、钝化、3D打印前腔面增透膜及后腔面增反膜。其中，绝缘钝化层、P面电极、N面电极、前腔面增透膜及后腔面增反膜均由3D打印技术来制备完成。通过引入3D打印技术，本发明带来如下两方面的有益效果(1)简化了制备过程3D打印绝缘钝化层免去了套刻、腐蚀开孔的步骤；3D打印P面电极避免了金属电极的带胶剥离过程；(2)减少了杂质的引入减少了套刻、刻蚀及带胶剥离的过程，所以减少了光刻胶、腐蚀液等化学试剂的引入，同时也降低了其它杂质引入的几率。

主权项

一种基于3D打印的GaAs基边发射激光器制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）在GaAs衬底上生长边发射半导体激光器外延结构；（2）利用光刻技术在外延结构表面曝光形成台面图形，利用干法刻蚀技术刻蚀出台面，使得台面侧壁垂直陡峭，然后利用湿法刻蚀技术进一步修饰台面边缘，使台面侧壁光滑，减少光在台面侧壁的损耗；（3）利用3D打印技术制备绝缘钝化层；（4）利用3D打印技术制备P面电极；（5）对GaAs衬底进行减薄抛光；（6）利用3D打印技术制备N面电极；（7）在高真空中划片，形成单管芯片或阵列芯片，然后在同样的高真空下蒸镀腔面钝化层，以防激光器腔面被氧化；（8）利用3D打印技术进行腔面镀膜，完成芯片制备。