[发明专利]RB-SiC光学元件抛光工艺加工方法

摘要

本发明公开了一种RB‑SiC光学元件抛光工艺加工方法，该方法首先利用电感耦合等离子体抛光技术实现RB‑SiC光学元件的精磨抛光，之后利用射频磁控溅射表面平坦化技术在光学表面沉积纳米级平坦化层、最后利用离子束抛光修形技术辅助自由基微波等离子体抛光技术实现光学元件超光滑表面加工。相比于现有技术，本发明利用等离子体抛光技术替代传统的光学加工方法，结合纳米级的平坦化层制备技术和离子束修形抛光技术，极大地缩短了中大口径RB‑SiC元件的加工周期，构建了以高效率、高精度和低损耗的特点RB‑SiC光学元件抛光加工新方法。

主权项

1.RB‑SiC光学元件抛光工艺加工方法，包括以下步骤：步骤1，首先对RB‑SiC毛坯料进行抛光刻蚀加工，实现光学元件的精密磨削，使光学元件表面粗糙度值收敛到20纳米以内；步骤2，利用射频磁控溅射技术（RF‑MS）在RB‑SiC光学元件表面沉积纳米级平坦化层；步骤3，利用自由基微波等离子体源技术（RPS）对RB‑SiC基底表面沉积的平坦化层进行抛光加工，利用自由基等离子体技术，将等离子体限定于等离子源本体之内，通过真空室流导控制，形成大面积均匀活性自由基，使得活性基与平坦化层材料发生化学反应，实现光学元件表面超光滑抛光加工；步骤4，利用离子束修形抛光技术（IBF），对光学元件表面平坦化层进行修形和抛光，通过对表面的高确定性去除，实现光学元件表面面形修正。