[发明专利]一种超薄膜及基于其的有机场效应晶体管传感器的制备方法

摘要

本发明公开了一种超薄膜及基于其的有机场效应晶体管传感器的制备方法，其特征在于：是由聚合物半导体材料和聚合物绝缘材料在有机溶剂中共混，然后旋涂成双层薄膜，再采用良溶剂溶解去除聚合物绝缘材料薄膜，即获得聚合物半导体材料的超薄膜，在其上蒸镀电极后即获得有机场效应晶体管传感器。本发明具有操作简单、重复性好、对设备和工艺条件要求低、不需要使用大型精密仪器设备等优点；本发明所得传感器由于活性层厚度超薄，使其具有灵敏度高、选择性好、检测限低等优点，在提高气体传感器的传感特性方面具有重要的应用前景。

主权项

1.一种基于P3HT超薄膜的有机场效应晶体管传感器的制备方法，所述晶体管用于作为气体传感器检测氨气，其特征在于，包括如下步骤(1)将P3HT溶解在氯苯中形成浓度为10mg/mL的溶液A，将PMMA溶解在氯苯中形成浓度为100mg/mL的溶液B；将溶液A和溶液B混合均匀，即构成共混溶液，在共混溶液中，P3HT和PMMA的质量比为1:80；(2)将n型硅片采用浓硫酸‑双氧水混合溶液洗净后作为基底；通过旋涂法，以2000rpm的转速将共混溶液旋涂在基底上并室温下真空干燥12小时，从而在基底上形成以PMMA薄膜为底层、以P3HT薄膜为顶层的双层薄膜；(3)取表面带有二氧化硅的硅片作为衬底，且表面二氧化硅层经十八烷基硅烷(ODTs)进行修饰；将双层薄膜漂浮在质量浓度为5％的氢氧化钾溶液中，然后通过衬底翻转捞出，以在衬底上形成以P3HT薄膜为底层、以PMMA薄膜为顶层的翻转双层薄膜；采用丙酮洗涤，以去除PMMA薄膜，即获得P3HT超薄膜；(4)在超薄膜上蒸镀金电极作为源、漏电极，沟道长、宽分别为80μm和1000μm，并以衬底硅作为栅极，即获得P3HT超薄膜有机场效应晶体管传感器。