[发明专利]一种多晶铸锭半熔高效坩埚工艺

摘要

本发明公开了一种多晶铸锭半熔高效坩埚工艺，包括如下步骤坩埚制备——喷涂——装料——熔化测籽晶高度——长晶——冷却。本发明采用高纯高效坩埚，增大坩埚内径尺寸，坩埚内径由1000mm提升至1020mm，减少边棒的红区；铺底料采用1‑5mm碎多晶作为籽晶，引导长晶，通过优化融化后期及长晶前期工艺，保证籽晶的预留。

主权项

一种多晶铸锭半熔高效坩埚工艺，其特征在于：包括如下步骤：坩埚制备——喷涂——装料——熔化测籽晶高度——长晶——冷却；其中：所述坩埚制备中：坩埚的高效层采用纯度＞99.995％、Fe＜0.2ppm进口石英砂，能够隔绝坩埚本身金属杂质扩散到硅料中；所述喷涂中：采用半雾化半湿的工艺，底部喷涂4遍，保护底部籽晶涂层；所述装料中：选用直径为5mm以下的碎多晶作为铺底籽晶料，籽晶料高度控制20mm，起引导长晶作用；所述熔化测籽晶高度中：采用双功率控制模块，调整熔化后期顶部和侧部功率比为70％：30％，放慢熔化速度，保证籽晶预留和平整性，通过测长晶棒计算出实际籽晶剩余高度15mm时手动跳装至长晶阶段；所述长晶中：通过预留的籽晶的引导均匀成核，前期长晶速度控制在1.0cm/H，减少晶格中的缺陷，中后期速度控制在1.3cm/h，降低程序耗时。