[发明专利]一种无集成栅极尖锥阵列场发射阴极的制备方法

摘要

本发明公开了一种无集成栅极尖锥阵列场发射阴极的制备方法，包括选用抛光导电基片，或包括抛光基片和形成于抛光基片表面的导电薄膜的复合基片作为阴极基底；在基片表面涂敷光刻胶；利用曝光、显影工艺，在基片上形成光刻胶的圆孔阵列图形；使基片自转，同时以倾斜角度蒸镀一层牺牲层；保持基片自转，同时以垂直角度蒸镀发射材料，在光刻胶孔阵列内形成尖锥；镀膜结束，取出基片；剥离光刻胶，同时去除其上的牺牲层及多余的发射材料，制备得到无集成栅极尖锥阵列场发射阴极。本发明在基片上直接制备发射材料尖锥，仅依靠光刻、镀膜等微加工工艺，工艺简单、成本低，适用于任何适合蒸发镀膜的金属和非金属场发射材料。

主权项

一种无集成栅极尖锥阵列场发射阴极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)场阴极基片表面涂覆光刻胶；2)将步骤1)中涂有光刻胶的基片进行曝光，对曝光后的基片进行显影，得到形成有孔洞阵列光刻胶的基片；3)令步骤2)得到的基片沿自身法线方向自转，同时相对基片表面以倾斜角度蒸镀牺牲层材料，从而使蒸镀的牺牲层包覆于光刻胶表面；4)保持步骤3)中的基片自转，同时相对基片表面以垂直角度蒸镀发射材料，在胶孔内形成发射材料尖锥；5)剥离光刻胶，同时去除光刻胶上的牺牲层及多余的发射材料，得到包括基片和形成于基片上表面的场发射尖锥阵列的无集成栅极尖锥阵列场发射阴极。