[发明专利]一种黑硅材料的二维仿真模型及其建立方法和仿真方法有效
| 申请号： | 201710302295.1 | 申请日： | 2017-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN107122554B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 刘爽;徐勤伟;高佳青;郭正奎;马世俊 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种黑硅材料的二维仿真模型及其建立方法和仿真方法。本发明中二维仿真模型包括：二维平面基底及在二维平面基底上相互间隔且周期性排列的多个二维平面尖锥。运用该二维仿真模型中任一个结构单元作为仿真区域，并在仿真区域内设置检测器，即可实现对其性能的测试，并且，二维仿真模型的几何参数可以调节，亦能通过研究不同几何结构的黑硅的性能参数进而指导黑硅的制备。运用本发明提出的二维仿真模型进行仿真，能够在保证结果正确性的前提下，使得模型整体的仿真计算量和仿真时间大大减少，从而降低了仿真硬件要求，提高了仿真效率，为分析黑硅表面几何结构对宽光谱范围内的光学吸收、反射及透射性能提供了可靠的模型基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 材料 二维 仿真 模型 及其 建立 方法 | ||
【主权项】：
一种金字塔阵列结构黑硅的二维仿真模型，其特征在于，包括：二维平面基底及在二维平面基底上相互间隔且周期性排列的多个二维平面尖锥。
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