[发明专利]一种电池保护电路及晶片

摘要

本申请实施例中提供了一种电池保护电路、晶片及控制芯片，该电池保护电路包括：功率开关S1，用于控制该电池的充放电状态；传感器，用于感应该功率开关S1的温度，该传感器的一端接电池保护控制芯片，另一端接地；且该传感器为负温度系数传感器或正温度系数传感器；其中，传感器和功率开关S1位于同一晶片；该电池保护控制芯片，用于在该功率开关S1的温度高于阈值温度时，输出用于触发该功率开关S1关断的有效信号。采用本申请实施例中的方案，能够实现对电池保护电路中功率开关的温度检测和过温保护，提高电池保护电路的可靠性，从而进一步提高锂电池的安全性。

主权项

1.一种电池保护电路，其特征在于，包括：功率开关S1，用于控制所述电池的充放电状态；传感器，用于感应所述功率开关S1的温度，所述传感器的一端接电池保护控制芯片，另一端接地；所述传感器为负温度系数传感器或正温度系数传感器；其中，所述传感器和所述功率开关S1位于同一晶片；所述电池保护控制芯片，用于在所述功率开关S1的温度高于阈值温度时，输出用于触发所述功率开关S1关断的有效信号；所述传感器为负温度系数的二极管D1，所述晶片包括：从下至上依次形成的N+衬底和N‑层，以及在所述N‑层中形成的P‑区；所述N+衬底作为所述功率开关S1的漏极；从上至下延伸入所述P‑区、并嵌入所述N‑层的凹形沟槽；所述沟槽内填充多晶硅栅；所述多晶硅栅作为所述功率开关S1的栅极；所述沟槽两侧分别从内向外依次形成一相邻的N+区域和P+区域；所述两个N+区域和两个P+区域共同作为所述功率开关S1的源极；在所述P‑区中形成的二极管D1，其中，所述二极管D1包括N阱、以及形成于所述N阱内的N+区域和P+区域，所述N+区域和P+区域间隔分布。