[发明专利]用于SCR脉宽调制器的单粒子瞬态效应抵抗电路

摘要

本发明公开了用于SCR脉宽调制器的单粒子瞬态效应抵抗电路，包括具有可控硅SCR结构的SCR脉宽调制器、RC缓冲器、PNP型三极管Q1和NPN型三极管Q2；RC缓冲器由软启动电容C1、第一电阻R1和第二电阻R2组成，其中R1与C1串联接在SCR脉宽调制器的基准电压vref和公共地之间，R2与所述Q2串联后并联在C1两端；PNP型三极管Q1，其发射极与脉宽调制器的COM端相连，集电极与公共地相连，基极与软启动电容C1相连。本发明能够防止工作中的脉宽调制器在遇到SEU事件时使软启动电容放电，并同时允许电源在重启时软启动电容充电所需时间与正常启动时软启动电容充电时间一致。

主权项

用于SCR脉宽调制器的单粒子瞬态效应抵抗电路，其特征在于，包括具有可控硅SCR结构的SCR脉宽调制器、RC缓冲器、PNP型三极管Q1和NPN型三极管Q2；所述RC缓冲器由软启动电容C1、第一电阻R1和第二电阻R2组成，其中R1与C1串联接在SCR脉宽调制器的基准电压vref和公共地之间，R2与所述Q2串联后并联在C1两端；所述PNP型三极管Q1，其发射极与脉宽调制器的COM端相连，集电极与公共地相连，基极与软启动电容C1相连。